MOS晶体管斩波器的恒压性漂移及降低温差措施示例

MOS晶体管斩波器的恒压性漂移是因室温起伏和周围空气的波动所产生的温差电动势。这种温差电动势主要是由MOS晶体管的引线与接触点之间的温度差所引起的。广泛用作晶体管密封管座引线的科伐线与铜线间的温差电动势，大约为27μV/℃。

例如图2.113所示的并联型斩波器电路的A/B两点之间若有0.1℃的温度差，就产生27μV的温差电动势。MOS晶体管斩波器的恒压性漂移。此温度差经引线传递到MOS晶体管芯片上，就在源与漏电极间产生约几万分之一℃的温度差。硅衬底与铝、金或铜之间的温差电动势高达约400μV/℃，从而对于约几万分之一℃的微小温度差相应地有约0.01μV的温差电动势。

图2.114是这种硅衬底上的温差电动势测量实例，为了去除科伐线的影响，我们试作了用纯铜作引线的元件，测量了引线间的温度差。MOS晶体管斩波器的恒压性漂移。与科伐线接触点之间的温差电动势相比，铜线间的温差电动势完全可以忽略，所以降低恒压性漂移的措施集中在降低引线接触点之间的温差电动势。其措施有两点：

1）用铜作引线；

2）降低引线端点间的温度差（温度起伏）。市售半导体器件的密封管壳，只采用科伐线。如欲将科伐换成铜，应首先解决因封接玻璃与铜的热膨胀系数不同而引起的裂纹，以及因铜表面氧化而引起的断线等问题。

为了降低温度差，引线要尽量剪短并使之互相靠近后再上焊锡。另外，如使两根引线绝缘地扭绞在一起，则可实现两根引一树脂线间的等温化。

又如图2.115所示，引线在中途换接上铜线，可使接触部分等温化。最后应将已布线的衬底装进封装管壳内，防止内部空气的扰动。图2.116为采取这些措施后的效果比较。

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