MOS场效晶体管界面处载流子迁移率与漏电压的关系

在低电场下，电子的漂移速度υd与外加电场Ez成正比，可用υd=μEх表示。故电子的漂移迁移率μ为常数，但随着电场强度的增加，电子和声学声子发生非弹性碰撞，结果是电子给予声学声子的能量比例增大，因此，电子的漂移速度虽增加，但不与电场成正比地增加。若进一步增加电场，电子的动能就变得很大，释放出光学声子，电子的漂移速度不再增加。载流子迁移率与漏电压的关系。这种现象可在晶体内部，也可在表面内发生，图1.14就是硅N型表面反型层中电子的漂移速度与电场关系的实测曲线8） 。

尤其是沟道长度较短的高频用或高速开关用的MOS场效应晶体管，即使漏-源之间的电压不太大，沟道中电场强度也容易增大，载流子的漂移速度处于不与电场成正比的区域。考虑到此种效应，图1.14中所示的漂移速度与电场的关系可写作

式中μo为低电场下载流子迁移率

υs为电场极强时载流子漂移速度的饱和值。

我们来研究MOS场效应晶体管的静态特性发生何种变化。

为使讨论不过于复杂，式（1.11）可改写为

将式（1.77）代入此式中的υd，并利用关系式，得

因而有

由上式可知，漏电压增大后，由于载流子速度饱和，从而跨导等要降低到。

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