MOS集成多谐振荡器电路实际分析详解

信息来源: 时间:2021-3-18

MOS集成多谐振荡器电路实际分析详解

图6.1-1的实际电路图如图6.1-4所示。运放A1与M2构成负反馈回路它将输入电压image.png转变为电流I,并等于image.png/R。因此,该电路为压控(电压控制)振荡器。由图可知,M4、M5、M6和M7的电流等于M3的电流I,当M9导通,M8载止时,M1与M5构成电流源电路,因而M1电流为I;当M10导通、M11截止时,M2与M7构成电流源,M2的电流也等于I。显然,M1电流由M9、M8控到,M2电流由M10、M11控制,而M5~M11的工作情况,取决于运放A2输出电压Vo电平的高低。多谐振荡器电路。当Vo电压为高电平VDD时,M9导通,M8截止,M1电流等于M5电流I,与此同时,M10截止,M11导通,M2的极电压等于Vss,使M2截止。因此,Vo=VDD时,电流I经M1管向电容C充电,电压V1上升,当上升到VDDR1/(R1+R2)时,A2输出电压Vo从VDD变至VSS,这时,M1栅极电位等于VDD电压,使M1截止。与此同时,M10导通,M11截止,使M2导通,其电流等于M7电流I。电容C通过M2放电,V1电压下降,当降至VssR1/(R1+R2)时,Vo电压又变至VDD。该电路的振荡频率表示式与(6.1-3)式相同,即

多谐振荡器电路

对于VDD=-Vss,上式写为

多谐振荡器电路

由上式可知,振荡频率f与输入电压Vin显线性关系,因此图6.1-4电路为压控振荡器。利用该电路可实现电压一颊率转换。

多谐振荡器电路

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