硅栅CMOS运放版图设计的典型实例

硅栅CMOS运放版图实例如图4.3-4所示，此版图所表示的线路图是第三章图3.11-7所示的CMOS运放。版图中的序号对应于图3.11-7电路中管子的序号。

图中M1、M2输入管制作在一个P阱内，P阱电位由P⁺环接向两管的源极，即M1、M2管通过独立的P阱，使衬底与源极短接，以减小衬底偏置效应。其他n沟MOS管都制作在另一P阱中。P沟MOS管制作在P阱外的n^-衬底上。图中的补偿电容Co由双层多晶硅构成。

图4.3-4所示的版图共有十一套光刻版，它们是：

（1）p阱光刻版。

（2）有源区光刻版。

（3）多晶硅I光刻版。多晶硅I作为MOS电容的下电极。

（4）n沟场注入光刻版。此道工序在n沟场区注入硼，以提高n沟场区的场开启电压。在n沟场注入前，有源区部分已有Si3N4掩蔽，硼离子不会注入到有源区，因此n沟场注入光刻版可用P阱光刻版。

（5）P沟MOS管阈值电压调整光刻版，此光刻版用P阱的反版。

（6）多品硅II光刻版。此工序形成MOS管栅极和多层多晶硅电容的上电极。

（7）p⁺区光刻版。

（8）n⁺区光刻版，即p⁺区光刻版的反版。

（9）引线孔光刻版。

（10）铝条光刻版。

（11）钝化光刻版。

图4.3-4所示的运放版图是实际版图（芯片尺寸）的500倍，MOS管的最小沟道长度是微米。

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