信息来源: 时间:2021-3-4
根据第一节(五)所述,硅栅等平面隔离CMOS工艺步骤中所用的九块光刻版制订规则如下(有些规则的考虑出发点与铝栅相同的就不加以说明):
P阱到P阱之间最小间距为26微米。
(1)有源区最小宽度为6微米。
(2)有源区最小间隔为8微米。
(3)P阱外P+有源区离P阱最小间距为20微米。
(4)P阱外n+有源区离P阱最小间距为10微米。
(5)P阱内n+有源区离P阱为10微米。
(6)P阱周围的P+环有源区内侧,离P阱间距为2微米,P+环有源区外侧离P阱为4微米。
n沟场注入区比p阱大4微米,以保证P阱区表面不会反型。
(1)多晶硅最小宽度为6微米。
(2)多晶硅最小间隔为6微米,因为多晶硅之间不需要考虑横向扩散。硅栅CMOS工艺6微米设计。
(3)在多晶硅与扩散区交叠以形成MOS管区时,多晶硅必须伸出有源区6微米,以保证漏源之间的沟道区上面确实有栅电极的电位控制,防止漏源之间直接短路。如图4.3-3所示。
(4)在非MOS管区,多晶硅与有源区的间隔为4微米,否则在光刻未套准时,多晶硅与扩散区交叠会形成一个不需要的MOS电容。硅栅CMOS工艺6微米设计。
P沟VT调整版,必须至少比P沟MOS管沟道区大4微米,它可用P阱或n沟场注入的反版。
n+扩散版要比n+有源区至少大4微米。
p+扩散版要比p+有源区至少大4微米,实际上可以用n+的反版。
(1)有源区上的引线孔与有源区边界的最小间距为4微米。
(2)有源区上的引线孔与多晶硅栅的最小间距为6微米。
(3)多晶硅上的引线孔与多晶硅边界的最小间距为4微米。
(4)引线孔最小尺寸为6微米×6微米或4微米×8微米。
(1)铝条最小宽度6微米。
(2)铝条最小间隔6微米。
(3)铝条覆盖引线孔2微米。
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