硅栅CMOS工艺6微米设计规则及版图分析

根据第一节（五）所述，硅栅等平面隔离CMOS工艺步骤中所用的九块光刻版制订规则如下（有些规则的考虑出发点与铝栅相同的就不加以说明）：

1、P阱版

P阱到P阱之间最小间距为26微米。

2、有源区版

（1）有源区最小宽度为6微米。

（2）有源区最小间隔为8微米。

（3）P阱外P⁺有源区离P阱最小间距为20微米。

（4）P阱外n⁺有源区离P阱最小间距为10微米。

（5）P阱内n⁺有源区离P阱为10微米。

（6）P阱周围的P⁺环有源区内侧，离P阱间距为2微米，P⁺环有源区外侧离P阱为4微米。

3、n沟场注入版

n沟场注入区比p阱大4微米，以保证P阱区表面不会反型。

4、多晶硅版

（1）多晶硅最小宽度为6微米。

（2）多晶硅最小间隔为6微米，因为多晶硅之间不需要考虑横向扩散。硅栅CMOS工艺6微米设计。

（3）在多晶硅与扩散区交叠以形成MOS管区时，多晶硅必须伸出有源区6微米，以保证漏源之间的沟道区上面确实有栅电极的电位控制，防止漏源之间直接短路。如图4.3-3所示。

（4）在非MOS管区，多晶硅与有源区的间隔为4微米，否则在光刻未套准时，多晶硅与扩散区交叠会形成一个不需要的MOS电容。硅栅CMOS工艺6微米设计。

5、P沟阈值电压VT的调整版

P沟VT调整版，必须至少比P沟MOS管沟道区大4微米，它可用P阱或n沟场注入的反版。

6、n⁺扩散版图设计规则

n⁺扩散版要比n⁺有源区至少大4微米。

7、p⁺扩散版

p⁺扩散版要比p⁺有源区至少大4微米，实际上可以用n⁺的反版。

8、引线孔版

（1）有源区上的引线孔与有源区边界的最小间距为4微米。

（2）有源区上的引线孔与多晶硅栅的最小间距为6微米。

（3）多晶硅上的引线孔与多晶硅边界的最小间距为4微米。

（4）引线孔最小尺寸为6微米×6微米或4微米×8微米。

9、铝条光刻版

（1）铝条最小宽度6微米。

（2）铝条最小间隔6微米。

（3）铝条覆盖引线孔2微米。

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