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高性能CMOS功率运放主要参数综述讲述
信息来源： 时间：2021-1-31
高性能CMOS功率运放主要参数综述讲述
图3.7-8是高性能CMOS功率运放，其主要参数列于表3.7-3。
图中的前置放大器（M1~M11）与前一节图3.6-4高电源抑制比运放的电路结构相同，因此图3.7-8功率运放具有高电源抑制比。图中的输出级部分与图3.7-6电路相同，MH1~MH11构成A1放大器，ML2~ML11构成A2放大器，MH3和M15提供正向输出电流，
和M17，吸入负向电流，Cc1、Cc2和Cc3分别为前置放大器、A1放大器和A2放大器的须率补偿电容。图中各管的W/L比如表3.7-4所示。
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