CMOS运放的实际电路性能分析

信息来源: 时间:2021-1-15

CMOS运放的实际电路性能分析

图3.2-4是输入为P沟MOS对管的二级CMOS运放。美国莫托洛拉公司生产的CMOS四运放MC14573和上海元件五厂生产的CMOS四运放5G14573都采用这种电路结构形式。改变偏流电阻image.png的阻值即可调节运放的工作电流、增益、输出电流等参数。

CMOS运放电路

为了提高图3.2-4运放的稳定性,消除零点,可在补偿电容image.png上串联一电阻R.通常image.png。可用MOS管取代,其电路形式如图3.2-5所示。

CMOS运放电路

图中利用M9、M10漏源之间的等效电阻构成上述串联电图。这里n沟MOS管M1和P沟MOS管M10的栅级分别接在正、负电源电压上。当输出信号的极性不同时,它们的漏极与源极的作用是互相交换的。静态时,M9、M10中无电流,信号输入时,若电路的输出信号是正极性时,点电位高于点电位。这时M9处于正向工作状态,而M10处于反向工作状态(它的源极与漏极的作用互换),如图3.2-6a所示,反之,当电路的输出信号是负极性时,点电位低于点电位,则这时M9处于反向工作状态,M10处于正向工作状态,如图3.2-6b所示,通常,在集成电路中,MOS管的正、反向特性是相同的。根据交流小信号等效电路,可求得A、B 两端点间的等效电阻image.png,这里的gmM9M10的跨导。因此,当M9、M10的跨导设计得与image.png的跨导相近时,该电路就能消除电容image.png引起的零点。

CMOS运放电路

现将图3.2-5电路中各管的宽长比列于表3.2-2。

CMOS运放电路

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

半导体公众号.gif

推荐文章