CMOS运放的实际电路性能分析

图3.2-4是输入为P沟MOS对管的二级CMOS运放。美国莫托洛拉公司生产的CMOS四运放MC14573和上海元件五厂生产的CMOS四运放5G14573都采用这种电路结构形式。改变偏流电阻的阻值即可调节运放的工作电流、增益、输出电流等参数。

CMOS运放电路

为了提高图3.2-4运放的稳定性，消除零点，可在补偿电容上串联一电阻R.通常。可用MOS管取代，其电路形式如图3.2-5所示。

CMOS运放电路

图中利用M9、M10漏源之间的等效电阻构成上述串联电图。这里n沟MOS管M1和P沟MOS管M10的栅级分别接在正、负电源电压上。当输出信号的极性不同时，它们的漏极与源极的作用是互相交换的。静态时，M9、M10中无电流，信号输入时，若电路的输出信号是正极性时，B 点电位高于A 点电位。这时M9处于正向工作状态，而M10处于反向工作状态（它的源极与漏极的作用互换），如图3.2-6a所示，反之，当电路的输出信号是负极性时，B 点电位低于A 点电位，则这时M9处于反向工作状态，M10处于正向工作状态，如图3.2-6b所示，通常，在集成电路中，MOS管的正、反向特性是相同的。根据交流小信号等效电路，可求得A、B 两端点间的等效电阻，这里的gm是M9及M10的跨导。因此，当M9、M10的跨导设计得与的跨导相近时，该电路就能消除电容引起的零点。