晶体管VBE电压为基准的偏置电路详解

VBE为基准的偏置电路如图2.7-3所示，图中的PnP晶体管Q1与CMOS管同时形成。

由M1~M4构成的反馈回路，迫使流过Q1管的电流与流过电阻R的电流相同。由图可得如下关系式

即

该式表明，图2.7-3的偏置电路也具有较大的负温度系数。

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