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CMOS管的偏置电路分析及解析
信息来源： 时间：2020-12-21
CMOS管的偏置电路分析及解析
所谓CMOS偏置电路，就是将图2.3-1中的偏置电阻
，用P沟MOS管来代替，其电路形式如图2.3-5所示，在1CMOS运算放大器以及其他的MOS模拟电路中，偏置电路一般采用图2.3-5的电路形式。
其设计公式如下：
式中的
为P沟道中的空穴迁移率，通常为n沟道中的电子迁移率μn的1/2~1/4。
在低电源电压、低功耗CMOS运算放大器电路中，偏置电路有时采用图2.3-6的电路形式。此时M2管工作在线性区。并有较大的
电压，因此M2管的沟道宽长比较小，计算机分析表明，图2.3-6电路偏置稳定性比图2.3-6电路要好。其设计公式为
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