信息来源: 时间:2020-12-17
在MOS模拟集成电路中,恒流源电路常作为偏置电路以及作为放大器的有源负载.模拟集成电路性能的优劣常与恒流源电路的恒流特性密切相关。MOS场效应管恒流源的电路形式与双极型晶体管电路基本相似。现介绍种常用的MOS管恒流源电路。
基本的但流源电路如图2.2-1所示,图中的IR为参考电流,IO为输出电流。MOS管M1工作在饱和区(VDS=VGS),若MOS管M2的,那么M2也工作在饱和区。
根据饱和区的电流方程可求得Io与IR的关系式为:
式中W2/L2为M2管的宽长比,W1/L1为M2管的宽长比,并假定两管的μ、和λ相同。
由(2.2-1)式可知,只要改变M1,M2管的宽长比,就可设计出所需要的Io,若=
,W2/L2=W1/L1,则Io=Ix,因,而Vo是输出电压,通常Vo是一变溢,且
,由于沟道长度调制效应的存在,Io随输出电压Vo的的变化而变化。MOS管恒流源电路。显然,只有λ=0时,才能使Io为恒定值。
要使图2.2-1的恒流源电路的恒流特性有所改善,可增大M2管的沟道长度L.L增大,使λ减小,输出阻抗ro增大(ro=1/λIo),恒流特性得到改善。在许多应用中,需要较大的输出阻抗和良好的恒流特性,就要对上述的恒流源电路加以改进,下面讨论经过改进的恒流源电路。
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