MOS管恒流源电路基本特征及分析

在MOS模拟集成电路中，恒流源电路常作为偏置电路以及作为放大器的有源负载.模拟集成电路性能的优劣常与恒流源电路的恒流特性密切相关。MOS场效应管恒流源的电路形式与双极型晶体管电路基本相似。现介绍种常用的MOS管恒流源电路。

（一）MOS管恒流源电路分析

基本的但流源电路如图2.2-1所示，图中的IR为参考电流，IO为输出电流。MOS管M1工作在饱和区（VDS=VGS），若MOS管M2的，那么M2也工作在饱和区。

根据饱和区的电流方程可求得Io与IR的关系式为：

式中W2/L2为M2管的宽长比，W1/L1为M2管的宽长比，并假定两管的μ、和λ相同。

由（2.2-1）式可知，只要改变M1，M2管的宽长比，就可设计出所需要的Io，若=

，W2/L2=W1/L1，则Io=Ix，因，而Vo是输出电压，通常Vo是一变溢，且，由于沟道长度调制效应的存在，Io随输出电压Vo的的变化而变化。MOS管恒流源电路。显然，只有λ=0时，才能使Io为恒定值。

要使图2.2-1的恒流源电路的恒流特性有所改善，可增大M2管的沟道长度L.L增大，使λ减小，输出阻抗ro增大（ro=1/λIo），恒流特性得到改善。在许多应用中，需要较大的输出阻抗和良好的恒流特性，就要对上述的恒流源电路加以改进，下面讨论经过改进的恒流源电路。

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