MOS场效应三极管连接方式的有源电阻解析

信息来源: 时间:2020-12-17

MOS场效应三极管连接方式的有源电阻解析

1、源极交流接地

图2.1-6a、b分别表示N沟,P沟增强型MOS管的源极交流接地·的有源电阻。

(1)饱和区(VDS≥VG-VT

有源电阻ro

image.png

(2)线性区(VDS<VG-VT)有源ro电阻为

image.png

2、漏极交流接地

图2.1-7a、b分别表示N沟、P沟增强型MOS管的漏极交流接地的有源电阻。

image.png

根据小信号交流等效电路,很容易求得ro

image.png

工作在饱和区时,image.png,上式可写为

image.png

工作在非饱和区时,(2.1-10)式中的image.png分别表示为

image.png

image.png

由以上分析表明,源极交流接地时其输出阻抗较高,因而在MOS放大器中,为增大电压增益,通常采用源极交流接地作为放大器的有源负载。

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