N沟耗尽型MOS管作为有源电阻分析详解

信息来源: 时间:2020-12-17

N沟耗尽型MOS管作为有源电阻分析详解


N沟道耗尽型作为有源电阻


N沟道耗尽型作为有源电阻时,其连接方式(即栅源短接)和V-I特性分别如图2.1-4、b所示。

N沟道耗尽型作为有源电阻

由图可知,当管子进入饱和区后,漏源两端阻抗为高阻抗。

用图2.1-5交流小信号等效电路,可求得漏源端的等效阻抗ro。

当衬底与源极之间的电压VDS=0时,图中image.png均等于零(N沟道耗尽型作为有源电阻),则有

N沟道耗尽型作为有源电阻

当VDS0时,则

N沟道耗尽型作为有源电阻

N沟道耗尽型作为有源电阻

由(2.1-6)、(2.1-7)式可知,N沟耗尽型MOS管的有源电阻比上述增强型MOS管的有源电阻大。因而用N沟耗尽型MOS管作为放大器的有源负载时,具有较高的电压增益。

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