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N沟耗尽型MOS管作为有源电阻分析详解
信息来源： 时间：2020-12-17
N沟耗尽型MOS管作为有源电阻分析详解
N沟道耗尽型作为有源电阻
N沟道耗尽型作为有源电阻时，其连接方式（即栅源短接）和V-I特性分别如图2.1-4、b所示。
由图可知，当管子进入饱和区后，漏源两端阻抗为高阻抗。
用图2.1-5交流小信号等效电路，可求得漏源端的等效阻抗ro。
当衬底与源极之间的电压VDS=0时，图中
均等于零（
），则有
当VDS≠0时，则
由（2.1-6）、（2.1-7）式可知，N沟耗尽型MOS管的有源电阻比上述增强型MOS管的有源电阻大。因而用N沟耗尽型MOS管作为放大器的有源负载时，具有较高的电压增益。
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