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MOS场效应管短沟道阈值电压分析模型
信息来源： 时间：2020-12-16
MOS场效应管短沟道阈值电压分析模型
MOS场效应管模型 如图1.4-6所示。
MOS场效应管的主要参数关系式和工艺参数如下（详见参考文献[12]）；
1、阈值电压VT
式中a为短沟道修正系数，
2、载流子迁移率μ
式中μ。为低电场载流子迁移率。
θ为迁移率的修正系数。
3、进入饱和区时的漏电压
4、沟道长度调制
式中L为沟道长度的设计值，
为扩散深度（结深），短沟道MOS阈值电压模型a为扩散的横向修正系数。
（1）线性区
（2）饱和区
式中
5、沟道宽度W的有效宽度
式中W为沟道宽度的设计值，xw为场氧化层厚度
6、MOS场效应管电流IDS
（1）线性区
（2）饱和区
将（1.4-26）式中的VD用（1.4-21）式的
代替，短沟道MOS阈值电压模型。可以得到饱和区的IDS关系式。
（3）截止区（VG-VS<VT）
7、MOS电容（CGS，CGD，CGB）
（1）线性区
（2）饱和区
（3）截止区
8、结电容
式中
W，L，分别为漏或源的扩散区的宽度和长度，
为p-n结的接触电势。
9、CMOS工艺的主要参数
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