MOS场效应管狭沟道效应特性及详解

信息来源: 时间:2020-12-15

MOS场效应管狭沟道效应特性及详解

MOS管狭沟道效应

当沟道宽度W很狭时,耗尽区的电荷会超出沟道宽度以外,见图1.4-3。

MOS管狭沟道效应

由于实际耗尽区的电荷多于理想耗尽区电荷,从而使阈值电压增大。这时阈值电压可表示为:

MOS管狭沟道效应

上式的最后一项表示狭沟道效应对阈值电压的修正。

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

半导体公众号.gif

推荐文章