VMOS的主要工艺过程基本流程步骤分析

（1）一次氧化

在以（100）面的N⁺-Si为基片的N^-外延层上，生长一层二氧化硅掩膜。如图6-26（a）所示。

（2）光刻、硼扩散

硼扩散，形成衬底P区，扩散深度约为2μm左右。如图6-26（b）所示

（3）光刻、磷扩散

磷扩散，形成源区，结深约为1μm左右，并作低温淀积，生成二氧化硅保护膜。如图6-26（c）所示。

（4）光刻、腐蚀V形槽

光刻V形槽窗口，用水合联氨腐蚀V形槽。如图6-26（d）所示。

（5）预刻引线孔

预刻引线孔，并做栅氧化，表面饨化磷处理。如图6-26（e）所示。

（6）电极引线

刻引线孔、蒸铝、反刻电极，完成电极引线。如图6-26（f）所示。至此，芯片形成。

以上工艺，除了V形槽腐蚀工艺以外，都是常规的平面工艺。而V形槽的腐蚀是最关键的一环。因为VMOS晶体管的沟道在V形槽壁旁边，所以腐蚀质量的好坏对VMOS特性有显著的影响。

V形槽的腐蚀，是利用Si单晶各向异性的化学性质。VMOS的主要工艺过程。腐蚀液可用水合联氨（即水合肼N2H4H2O）或水和异丙醇缓冲的KOH混合液。

V形槽的腐蚀过程是这样的：首先在（100）面上开出V形槽孔，然后把片子放入加热到80~100℃的腐蚀液中，由于（100）面的腐蚀速度很快，裸露的（100）表面很快就腐蚀出凹坑。与（100）晶面成54.74°交角的（111）晶面，沿着腐蚀窗孔的四边向体内伸展下去，构成一个四面棱锥。如图6-27所示。因为（111）晶面的腐蚀速度特别慢，所以当腐蚀窗孔（100）表面全部腐蚀完时，腐蚀坑的侧壁全部由（111）晶面限定，腐蚀就基本自动停止。

必须注意，光刻窗口的边线必须严格平行或垂直于〈110〉方向，如有偏离，腐蚀坑会沿真正的〈110〉线发生钻蚀而产生畸变，如图6-28所示。VMOS的主要工艺过程。所以在版面设计V形槽时，就要特别注意。

除了上述铝栅VMOS以外，还可结合硅栅等工艺，制作VMOS晶体管及集成电路，使器件的性能得到进一步改善。

VMOS工艺虽然复杂，但只要仔细操作，完全可以控制得好的。VMOS的主要工艺过程。一旦各向异性腐蚀技术成为非常容易操作的常规工艺，VMOS工艺将被人们普遍用来制造大规模MOS集成电路。

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