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SiO2-AI2O3双层栅E/DMOS电路概述
信息来源： 时间：2020-12-4
SiO2-AI2O3双层栅E/DMOS电路概述
由于AI2O3层内含有负电荷，可以抵消SiO2中的正电荷，因此可以控制SiO2和AI2O3的厚度比，从而使NMOS的阀值电压成为正值。图6-28是用SiO2-AI2O3。技术制造的N沟道E/DMOS电路。其衬底取10Ω·cm、〈100〉方向的P型硅单晶片。耗尽型器件，在栅氧化以后，进行一次磷处理，阀值电压控制在一1.5V。增强型器件，在栅氧化以后，淀积一层AI2O3，阈值电压控制在+1V。这种电路可在5V电源下工作。
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