离子注入法制造E/DMOS电路的工艺方法分析

在同一块衬底上制造相同沟道的增强型与耗尽型MOS器件，即E/D型的MOS电路，这比一般MOS工艺要困难得多。因此在MOS工艺发展的初期，E/DMOS电路的发展速度比较缓慢。但随着MOS技术的日新月异，目前已有几种制造E/DMOS电路的工艺方法。

1、P沟道E/DMOS

首先按P沟道增强型MOS的常规工艺，做到栅氧化为止，然后制造耗尽型MOS负载器件，即在负载管的沟道区进行硼离子注入。增强型器件由光刻胶保护，其它区域由厚氧化层保护，离子不能透过这些区域。这样就使负载管的沟道区掺杂成为P型，形成耗尽型MOS。

由于铝栅P沟道增强型MOS器件的V；数值较大，所以首先要用离子注入法降低Vr的数值。因此，在栅氧化（~120nm）以后，先进行第一次硼注入，以降低两个器件的阀值电压数值，然后进行磷处理，以磷硅玻璃作为增强型器件的掩膜，再进行第二次注入，以形成耗尽型MOS器件。E/DMOS电路的工艺。注入以后，要在950℃的干氮中退火10分钟，图6-21为离子注入制造P沟道E/DMOS示意图。

2、N沟道E/DMOS

同样可用离子注入技术制成N沟道的E/DMOS电路。大家知道，N沟道MOS器件容易制成耗尽型的，所以可以在不要形成原始沟道的地方，注入P型杂质，以提高沟道区的掺杂浓度。如图6-22所示。

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