离子注入法制造MOS源、漏区实现栅自对准

用离子注入法制造MOS器件的源、漏区，可以实现栅自对准。自对准mosfet。但完全由离子注入形成源、漏区的MOS结构是很不理想的。

第一，为了得到P掺杂区较低的薄层电阻，要求注入的离子剂量是很高的（通常大于10¹³个/cm²），因而会使晶格发生严重的损伤，造成器件很大的反向漏电。如果注入剂量达不到相当的数量，源漏区的方块电阻很大，使器件产生很高的源漏奇生电阻。

第二，由于注入的结深是很浅的，使得源漏耐压很低。

这些原因限制了离子注入法在掺杂方面的使用。自对准mosfet。目前都采用离子注入与扩散相结合的方法，如图6-11所示。

先用扩散技术制作器件的源漏，以得到P区所必须的薄层电阻，然后，用离子注入进行补偿，以形成P区的扩展部分，如图6-11（b）所示。自对准mosfet。采用铝栅是为了保护栅氧化物，同时作为掩膜，使离子注入到预定的区域（称为补偿区），以形成栅自对准结构。

用离子注入法实现栅自对准时，应注意：

①铝栅电极应比普通P沟道工艺尺寸小得多，以留出补偿区进行离子注入；

②为了使硼高子基本上都注入到硅中，在SiO2，中积累尽可能少，离子能量应调节适当；

③硼的注入能量均选在左右，磷注入能量选用，金属层也应有足够厚度；

④实际工艺中，补偿区范围可以从几微米到几十微米，氧化层厚度左右，铝金属层厚度400nm左右，所获得的补偿区薄层电阻为4000Ω/口，退火时间15分，温度为500℃左右。

必须注意，因为注入在铝电极形成之后，故退火温度不能过高，不能超过铝硅共熔点。

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