信息来源: 时间:2020-11-4
大家知道,倒相器的传输特性曲线,可以从倒相器两个管子的电流方程出发,导出输入电压与输出电压的对应关系式,从而作图得来。
为了讨论方便起见,我们先对负载管与输入管工作于饱和区或排饱和区的条件作些说明。图2-40的标出了负最管与输入管的电压偏置。CMOS倒相器的传输特性
从图中看到,对于输入管(NMOS),其工作状态处于饱和区和非饱和区的分界线为:
其中
当时,NMOS工作在非饱和区;时,则工作在饱和区。
对于负载管PMOS,其工作状态处于饱和区和非饱和区的分界线为:
其中
当时,PMOS工作在非饱和区,时,则工作在饱和区。
因此,可以写出两器件在两种状态下的电流公式:
可见,当从0V上升至时,负载管与输入管将处于不同的工作状态,因面倒相器的输出电压也随之变化。为了直观起见,我们先举一个输入电压从0V上升到10V的实际例子,来说明输出电压随输入电压的变化关系。CMOS倒相器的传输特性这里假定两个管子完全对称,具有,当输入电压从0V上升到10V时,输入管和负载管的工作状态和输出电压的变化,可分为五个区域来讨论。
第I区城:,输入管截止;而,负载管导通。
这时Ip=0,输出电压,如图2-41(a)所示。
第II区域:,输入管导通,工作在饱和区;同时,,负载管也导通,工作在非饱和区。这时,,输出电压满足:,如图2-41(b)所示。
第III区域:当,仍有,输入管与负载管都导通,并且都工作在饱和区。这时Ip最大,Vo急剧下降,称这个区域为高增益区(又称转换区)。这时对应的输入电压称为转换电平,用表示,如图2-41(c)所示。
第IV区域:时,,输入管导通,工作在非饱和区,同时,,负载管也导通,工作在饱和区,比时有所下降,输出电压满足。如图2-41(d)所示。
第V区域:,输入管导通,但,负载管截止;这时,如图2-41(e)所示。
根据上述输出特性的各个工作点,可以作出对应的关系曲线,如图2-42所示,即为CMOS倒相器的传输特性。
以上分析结果虽然是从对称性互补管子的简化条件下得到的,但可以对倒相器整个工作过程有个全面的了解。CMOS倒相器的传输特性对于非对称特性器件(即)组成的倒相器的传输特性,需要从电流方程出发,得到一般性的表达式。
由图2-40中看到,通过负载管和输入管的电流是相等的,即:
在I区内:因为输入管截上,由于
即:
所以:
在II区内:PMOS工作在非饱和区,NMOS工作在饱和区。因为
所以:
经过整理后,可以求得:
在III区内:PMOS和NMOS均工作在饱和区。
所以:
经过整理,可解得:
若在理想情况下,两管完全对称,有
在TV区内:PMOS 工作在饱和区,NMOS工作在非饱和区,所以根据的关系,可以求得:
在V区内:因为负载管截止,由于
所以:
通过上面的分析可以看出,CMOS倒相器具有以下几个特点:
❶逻辑摆幅 大高电平可达,低电平可近似为0。这样,电源电压得到充分利用,可以利用较低的电源电压。
❷转换区的电压增益高 当转换电平为时,输出电压下降很快,因此可以容许较大的噪声电压,抗干扰性能较好。
❸功耗低无论是输出高电平或低电平时,两个管子总有一支处于截止状态,电源和地之间没有直接通路,而只有PN结的漏电流通过。CMOS倒相器的传输特性因此工作电流Io是很小的,近似为零。所以,CMOS静态功耗是极低的,一般在nW数量级。正因为如此,CMOS电路也称为微功耗电路。
在CMOS电路中,为了设计方便,一般使用最大噪声容限的定义。它是以直流传输特性曲线与直线的交点所对应的输入电压,分别与电源和零电位之差,来代表高、低电平的噪声容限。由于MOS倒相器在转换区具有十分高的电压增益,所以交点对应的输入电压就是转换电平,如图2-43所示。
低电平最大噪声容限:
高电平直流噪声容限:
从图2-43上看到,最大噪声容限显然比过去定义的指定噪声容限和要大,只有在传输特性成为理想的特性曲线时,两者才近似相等。
根据最大噪声容限的定义知道,要得到较大的噪声容限,决定于转换电平的大小。所以必须对转换电平中各个因素对传输特性的影响作一些讨论。
对(2-68)式中的各参数,都对进行归一化,引入归一化参量。令:
为归一化转换电平
,为归一化PMOS管的阀值电压
,为归一化NMOS管的阀值电压
PMOS管对NMOS管的k因子比
于是(2-68)式写成归一化形式
若两管对称,即,可以得到理想的最大噪声电压为1。
实际上,不等于,也不等于,所以,使噪声容限减小。图2-44表示不同的对传输特性的影响,图2-45表示两管阀值电压不同对传输特性的影响。CMOS倒相器的传输特性设计中,在的情况下,为了使尽可能接近1/2,往往采用调节的大小(即调节两管的几何尺寸比)来达到。
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