CMOS倒相器工作原理分析及详解

CMOS倒相器简介

CMOS集成电路，是互补型金属-氧化物-半导体集成电路的简称。具有功耗低，抗干扰能力强和速度快的特点，是一种性能优异的集成电路。近年来，在一般逻辑电路、大规模存贮器以及微处理机、电子手表等领域，都得到了广泛的应用，发展很快。

CMOS倒相器原理

CMOS 倒相器，是由一个增强型P沟道MOS管和一个增强型N沟道MOS管组成，其中NMOS管做输入管，PMOS管做负载管。两管的栅极连接在一起，引出输入端；两管的漏极相连，作为输出端；负载管（PMOS）的源极接电源，输入管（NMOS）的源极接地。CMOS倒相器工作原理图2-38（a）为倒相器的电路图，图2-38（b）为CMOS倒相器的结构截面图。它是在一块N型Si单晶片上用扩散的方法形成一个浓度较低的P阱区，然后分别在N型衬底和P阱区制作增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管，最后用蒸铝的方法，形成电极连线。

CMOS倒相器原理

CMOS倒相器的工作原理是这样的，当输入电压，对输入管（NMOS），0，小于阈值压，所以输入管截止，其截止等效电阻很大；对于负载管（PMOS），，绝对值大于阀值电压，所以负载管导通，其等效电阻很小。由于在负载管上的压降很小（近似为0）所以输出电压。当输入电压（如等于），对子输入管，大于阀值电压，故输入管导通，其等效电阻很小；CMOS倒相器工作原理对于负载管，，故负载管截止，其截止等效电阻很大，电源电压几乎全部降落在负载管上，所以输出为“0”电平，近似为0V。