信息来源: 时间:2020-11-2
倒相器输出特性曲线上两个工作点,A点(开态)所对应的为输出低电平,B点(关态)所对应的为输出高电平。现在分别讨论输出高低电平的大小及其与器件参数的关系。
当倒相器截止时,输出电压接近于,这时负载管的,因此满足,负载管工作在非饱和区,其电流为:
因为:
上式改写为:
由于输入管截止,,通过负载管的也为0,所以便得到:
E/DMOS倒相器截止时,输出高电平确实等于电源电压。
当倒相器导通时,输出低电平,但并不等于。这时负载管的,满足,负载管工作在饱和区,其电流为:
而输入管的,满足,输入管工作在非饱和区,其电流为:
因为
上式改写为:
由,可以解得:
这就是倒相器导通时,输出低电平的表达式。它与器件参数和工艺参数有关。如愈大,愈小,则愈接近于0。
从上面分析看到,倒相器的输出高电平接近电源电压,输出低电平接近于0,所以输出的电压幅值较大,电源电压得到充分利用,这是E/D MOS电路的一大优点。
图2-35所示为E/DMOS倒相器的传输特性曲线,上面表示的各个参数,其意义与E/EMOS倒相器中的相同。
根据不同的工作状态,可以把传输特性曲线分成三个不同的区域。为了讨论清楚起见,我们先把这三个区域中负载管和输入管的工作区域作一说明。大家知道,MOS管饱和区与非饱和区的分界线为:
对于E/DMOS倒相器的负载管,由于:
代入上式,得到E/D MOS倒相器负载管饱和区与非饱和区的分界线为:
若(分界线上面),负载管工作在非饱和区,若(分界线下面),则负载管工作在饱和区。
对于输入管,饱和区与非饱和区的分界线为:
当时(分界线左上侧),输入管工作在饱和区;当时(分界线右下侧),输入管工作在非饱和区。
根据以上划分,图2-35中三个区城中倒相器两个管子的工作状态,就比较清楚了。在第I区中,负载管工作在非饱和区,输入管工作在饱和区;在第II区域,负载管和输入管都工作在饱和区;在第III区域,负载管工作在饱和区,输入管工作在非饱和区域。
现在,分别讨论三个区域中倒相器的输出电压与输入电压的函数关系。
第I区;当
由,可得到方程:
解此方程,可得:
当大于不多时,满足:
,则可利用级数展开近似式,将(2-52)式简化成:
可见,随着增大,输入管的沟道增原,沟道电阻减小,所以,很快下降,即为特性的段。
第II区,进一步增加,使输入管和负载管都工作在饱和区,其电流分别为:
由方程解得:
这是一条与纵轴平行的直线,即为特性曲线的段。
就是从倒相器捷止的导通过聚的输入电压,这个电压依赖于,和如器件几何尺寸一定,则主要依赖于工艺参数。
第Ⅲ区输入管处于非饱和区,负载管处于饱和区,其电流分别为:
由,得到方程:
解此方程,得:
当时,根式可用级数展开,近似化简为:
从(2-56)式可以看到,随着输入电压的升高,输出电压缓慢下降,直至趋近于零;而且愈小,下降愈快,这就是特性曲线的DE段。
从上面的讨论看到,E/DMOS倒相器的传输性与器件的参数和工艺参数有密切的关系。
图2-36(a)表示不同对传输特性的影响,从图中看到,取可得到良好的传输特性。
图2-36(b)表示不同对传输性的影响,从图中看到,传输特性的影响特别显著,愈大,传输特性愈差,输出低电平愈高。
此外,负载管的与增强型负载管的阀值电压一样,要受到源极调制作用的影响,因此,在设计中,是需要认真考虑的一个重要因素。
要求得噪声容限,必须先求得关门电平与开门电平的表达式。从图,2-35中看到,为规定的最小输出高电平,它对应的输入电压就是关门电平。用和分别代替(2-53)式中的和就可求得关门电平:
同样,可以看到,为规定的最大输出低电平,它对应的输入电压就是开门电平,将和分别代替(2-56)式中的和,就得到开门电平:
于是,根据定义可写出输入低电平噪声容限为:
输出高电平噪声容限为:
下面举个例子,使大家对噪容的大小有个数量的概念。
若有某个E/D MOS倒相器,其,规定。试求其噪声容限。
由(2-57)式算得:
由(2-58)式算得:
所以:
可见,噪声容限可以达到电源电压的35%以上。直流噪声容限大,抗干扰能力强,这是E/DMOS倒相器的又一特点。
还要强调指出,E/DMOS直流特性强烈地依赖于负载管的夹断电压,例如输出低电平的大小,抗干扰性能的优劣,无不与有直接关系,因此,成为设计中的一个重要因素。为了保证输出低电平的要求,并能减小晶片面积,可以不用增大输入管的宽长比W/L,而采用减小的方法来达到。
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