E/D MOS倒相器的瞬态响应分析

信息来源: 时间:2020-10-29

E/D MOS倒相器的瞬态响应分析

1、开关时间  与E/D MOS倒相器的情况相同,输入电平由0”跳变到“1”,或从“1”跳变到0”的瞬间,E/D MOS倒相器在由截止变为导通或由导通变为裁止的过程中,都要通过负载电容image.png放电或充电。E/D MOS倒相器导通的过程与前面分析的E/E MOS倒相器干降时间的情况相似,面且数值又较小,在这里不再絮述。下面主要讨论侧相器的上升时间(即截止时间)。E/D MOS倒相器的瞬态响应


在输出脉冲的上升过程中,输入管是截止的,负载电容image.png通过导通的负载管充电。在这个过程中,负载管经历了饱和区与非饱和区两个工作状态,如图2-37(b)所示。现在分别讨论饱和区充电时间和非饱和区充电时间。


1)饱和区充电时间  当image.png时,负载管工作在饱和区,由于负载管是耗尽型的,所以饱和区的电流恒为image.png,与输出电压无关,故为恒流充电。饱和区的充电时间,是电容两端电压从image.png充到image.png所需的时间,用E/EMOS倒相器的瞬态响应表示。充电电流为:

image.png

image.png,可以得到负载管在饱和区的充电时间:

image.png

image.png


(2)非饱和区充电时间 当image.png时,负载管工作在非饱和区,由非饱和区电流与通过电容image.png的电流相等,可求得电容两端电压从image.png充到image.png的时间(即负载管在非饱和区充电时间)为:

E/EMOS倒相器的瞬态响应

所以总的上升时间t,为:

E/EMOS倒相器的瞬态响应

通过以上分析知道,E/D MOS的上升时间与负载管的尺寸、夹断电压image.png有关。如要image.png小,则要求image.png大,但这与设计良好的直流特性是矛盾的。所以在设计中,必须根据设计指标,选取合理的设计参数。


对于E/D MOS的饱和负载来说,随着输出电压逐渐趋近image.png时,对负载电容image.png充电电流会愈来愈小,所以,上升时间很长,电路速度较慢。而E/DMOS的负载管具有恒流源的特性,上升时间要短得多,故可以提高电路的工作速度。E/D MOS倒相器的瞬态响应


综上所述,E/DMOS具有输出幅度大,抗干扰能力强和速度快的三大优点。但要在一块晶片上同时制得耗尽型和增强型两种不同沟道的器件,工艺是比较复杂的。


2、E/DMOS的品质因素 E/DMOS的静态功耗为:

E/EMOS倒相器的瞬态响应

速度可近似用image.png表示,因为image.pngimage.png小许多。若用近似式表示为:

E/EMOS倒相器的瞬态响应

品质因素可近似为:

E/EMOS倒相器的瞬态响应

可见电源电压愈高,充电电流大,要达到预定的高电平比较容易,所以开关速度愈快,但功耗明显增加。在设计时要根据要求统筹考虑。


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