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MOS晶体管图形设计举例结构详细解析
信息来源： 时间：2020-10-27
MOS晶体管图形设计举例结构详细解析
MOS晶体管版图形设计举例
MOS晶体管图形设计，制造MOS晶体管，首先要根据给定的参数，设计出符合要求的图形。这里概要介绍一下根据跨导gm的要求，来设计一个MOS晶体管的图形。
设阀值电压
时，要求管子的跨导gm=
。
根据条件，所设计的MOS晶体管为N沟道增强型器件，所给定的ga为饱和区跨导。这里的图形设计，归结为确定器件沟道的宽长比
。
根据饱和区跨导公式：
可写出器件的宽长比为：
若取：
可求得：
将上述数值代入，即求得器件的宽长比为：
如果沟道长度L取8μm，则W取64μm。
于是根据所确定的宽长比，就可画出如图1-41（a）所示的版图。MOS晶体管图形设计其中，大方块表示衬底P-Si，方块中左右两个长方块表示漏源N+区，中间的间隙，即为沟道的宽与长，沟道上打×的方块，表示薄氧化层；点划线表示铝引线；斜线表示引线孔。若沿虚线AA切开，就可得到如图1-41（b）所示的截面图。
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