信息来源: 时间:2020-10-19
上面讲到,MOS晶体管的类型根据导电载流子的不同,可分为N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。每种沟道的MOS晶体管的类型又可根据不同的工作方式,再分为增强型和耗尽型两种。因此,MOS晶体管的类型共有四种类型,现将它们的情况归纳于表1-1之中。
为了清楚起见,将它们的转移特性曲线及常用符号,归纳在图1-8中,以便大家比较。
表1-1MOS晶体管的四种类型
符号中的源与漏之间的破折线,表示在VGS=0时,漏源之间不存在导电沟道,为增强型器件;实线表示在Voas-0时,漏源之间已经存在导电沟道,为耗尽型器件。图中箭头方向从衬底指向沟道的,表示N型沟道;箭头方向从沟道指向衬底的,表示P型沟道。
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